4月21日，據(jù)外電報道， 英特爾與美光科技上周宣布推出為NAND閃存開發(fā)的新20nm制程技術(shù)，這項技術(shù)用于生產(chǎn)8GB多級單元NAND閃存組件，可為智能型手機與平板計算機提供高容量、體積小，但有如固態(tài)硬盤儲存的解決方案。

     英特爾與美光科技合作推出新制程技術(shù)，讓智慧手機、平板計算機中的閃存容量更大、體積更小，今年下半年可能推出小于美國郵票，卻有128GBs儲存容量的樣品。

    英特爾也在與美光合資的閃存公司IMFT官方網(wǎng)站上表示，20nm制程8GB快閃存儲元件目前正在取樣，2011年下半年有望進入大規(guī)模生產(chǎn)；屆時，英特爾與美光公司希望能推出16GB組件樣品，可以提供小于美國郵票，卻有128GBs容量的固態(tài)儲存解決方案。

     這次宣布的20nm制程是以原來的25nm制程基礎(chǔ)加以改善。英特爾表示，未來還會在制程技術(shù)上持續(xù)開發(fā)越來越微小的技術(shù)。